MOS形FET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、トランジスタの一種で、特に電界効果トランジスタ（FET）の一形態です。このデバイスは、金属（またはポリシリコン）、酸化物層、半導体（通常はシリコン）から構成されています。MOSFETは、その構造から高い入力インピーダンスを持ち、低い消費電力で動作するため、デジタル回路やアナログ回路の両方で広く使用されています。
MOSFETは、ゲート、ドレイン、ソースの3つの端子を持ちます。ゲート端子に電圧をかけることで、デバイス内の電界が変化し、ドレインとソースの間の電流の流れを制御します。これにより、スイッチング素子や増幅素子として機能します。
さらに、MOSFETにはNチャネルとPチャネルの2つのタイプがあります。Nチャネルは電子を運ぶことができ、Pチャネルはホールを運ぶことができます。それぞれの特性に応じて、用途が異なるため、設計時に適切なタイプを選択することが重要です。
このデバイスは、集積回路（IC）や高周波回路、スイッチング電源など、さまざまな電子機器において重要な役割を果たしています。特に、コンピュータやスマートフォンなどの現代の電子機器では、MOSFETの利用が不可欠です。